TC58BYG1S3HBAI6

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Parte del produttore

TC58BYG1S3HBAI6

Produttore
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descrizione
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
338
Schede tecniche in linea
TC58BYG1S3HBAI6 PDF
Inchiesta
  • serie:Benand™
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Non-Volatile
  • formato di memoria:FLASH
  • tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
  • Dimensione della memoria:2Gb (256M x 8)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:25ns
  • tempo di accesso:25 ns
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:67-VFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:67-VFBGA (6.5x8)
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