CY7C1320KV18-250BZC

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Parte del produttore

CY7C1320KV18-250BZC

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
239
Schede tecniche in linea
CY7C1320KV18-250BZC PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria:18Mb (512K x 36)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:250 MHz
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:-
  • tempo di accesso:-
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:165-LBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:165-FBGA (13x15)
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