70T659S10BFI

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Parte del produttore

70T659S10BFI

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
70T659S10BFI PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria:4.5Mb (128K x 36)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:10ns
  • tempo di accesso:10 ns
  • tensione - alimentazione:2.4V ~ 2.6V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:208-LFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:208-CABGA (15x15)
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