DS1230Y-200IND

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Parte del produttore

DS1230Y-200IND

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
382
Schede tecniche in linea
DS1230Y-200IND PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di memoria:Non-Volatile
  • formato di memoria:NVSRAM
  • tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:200ns
  • tempo di accesso:200 ns
  • tensione - alimentazione:4.5V ~ 5.5V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:28-EDIP
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