71016S20YG8

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Parte del produttore

71016S20YG8

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
71016S20YG8 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria:1Mb (64K x 16)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:20ns
  • tempo di accesso:20 ns
  • tensione - alimentazione:4.5V ~ 5.5V
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:44-SOJ
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