W987D2HBJX6E TR

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Parte del produttore

W987D2HBJX6E TR

Produttore
Winbond Electronics Corporation
Descrizione
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
W987D2HBJX6E TR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:DRAM
  • tecnologia:SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria:128Mb (4M x 32)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:166 MHz
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:15ns
  • tempo di accesso:5.4 ns
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TC)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:90-TFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:90-VFBGA (8x13)
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