CY14B116N-BA25XI

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Parte del produttore

CY14B116N-BA25XI

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
36
Schede tecniche in linea
CY14B116N-BA25XI PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Non-Volatile
  • formato di memoria:NVSRAM
  • tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria:16Mb (1M x 16)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:25ns
  • tempo di accesso:25 ns
  • tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:60-LFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:60-FBGA (10x18)
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