ISL6610CBZ-T

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Parte del produttore

ISL6610CBZ-T

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
pmc - gate driver
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
ISL6610CBZ-T PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • configurazione guidata:Half-Bridge
  • tipo di canale:Synchronous
  • numero di conducenti:4
  • tipo di cancello:N-Channel MOSFET
  • tensione - alimentazione:4.5V ~ 5.5V
  • tensione logica - vil, vih:-
  • corrente - uscita di picco (sorgente, dissipatore):-, 4A
  • tipo di ingresso:Non-Inverting
  • tensione lato alto - max (bootstrap):36 V
  • tempo di salita/discesa (tip):8ns, 8ns
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 125°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:14-SOIC
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