NCV33152DR2G

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Parte del produttore

NCV33152DR2G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
pmc - gate driver
Serie
-
Disponibile
16794
Schede tecniche in linea
NCV33152DR2G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • configurazione guidata:Low-Side
  • tipo di canale:Independent
  • numero di conducenti:2
  • tipo di cancello:N-Channel MOSFET
  • tensione - alimentazione:6.1V ~ 18V
  • tensione logica - vil, vih:0.8V, 2.6V
  • corrente - uscita di picco (sorgente, dissipatore):1.5A, 1.5A
  • tipo di ingresso:Non-Inverting
  • tensione lato alto - max (bootstrap):-
  • tempo di salita/discesa (tip):36ns, 32ns
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOIC
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