DF200R12PT4B6BOSA1

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Parte del produttore

DF200R12PT4B6BOSA1

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
DFXR12P - IGBT MODULE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
90
Schede tecniche in linea
DF200R12PT4B6BOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1.2 V
  • corrente - collettore (ic) (max):300 A
  • potenza - max:1.1 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 200A
  • corrente - interruzione del collettore (max):15 µA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:12.5 nF @ 25 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:Yes
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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