NXH100B120H3Q0STG

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Parte del produttore

NXH100B120H3Q0STG

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
24
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configurazione:2 Independent
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):50 A
  • potenza - max:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • corrente - interruzione del collettore (max):200 µA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:No
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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