FAM65HR51DS2

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Parte del produttore

FAM65HR51DS2

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT MODULE 650V 33A 135W
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • configurazione:Half Bridge Inverter
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):33 A
  • potenza - max:135 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • corrente - interruzione del collettore (max):-
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:4.86 nF @ 400 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:No
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:-
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
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