NUS5530MNR2G

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Parte del produttore

NUS5530MNR2G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - scopo speciale
Serie
-
Disponibile
105255
Schede tecniche in linea
NUS5530MNR2G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN, P-Channel
  • applicazioni:General Purpose
  • tensione - nominale:35V PNP, 20V P-Channel
  • corrente nominale (ampere):2A PNP, 3.9A P-Channel
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-VDFN Exposed Pad
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-DFN-EP (3.3x3.3)
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