RN1710JE(TE85L,F)

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Parte del produttore

RN1710JE(TE85L,F)

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BER=
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array, pre-polarizzati
Serie
-
Disponibile
3968
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • corrente - collettore (ic) (max):100mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
  • resistenza - base (r1):4.7kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):-
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • frequenza - transizione:250MHz
  • potenza - max:100mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-553
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:ESV
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