EMB6T2R

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Parte del produttore

EMB6T2R

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array, pre-polarizzati
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
EMB6T2R PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo a transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corrente - collettore (ic) (max):30mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
  • resistenza - base (r1):47kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):47kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:250MHz
  • potenza - max:150mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-563, SOT-666
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:EMT6
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