DTA123YUAT106

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Parte del produttore

DTA123YUAT106

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
3241
Schede tecniche in linea
DTA123YUAT106 PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo a transistor:PNP - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):100 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
  • resistenza - base (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:33 @ 10mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:250 MHz
  • potenza - max:200 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-70, SOT-323
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:UMT3
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