RN2105MFV,L3F(CT

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Parte del produttore

RN2105MFV,L3F(CT

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
7600
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:PNP - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):100 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
  • resistenza - base (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):47 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:250 MHz
  • potenza - max:150 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-723
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:VESM
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