IRF8313TRPBF

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Parte del produttore

IRF8313TRPBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
2100
Schede tecniche in linea
IRF8313TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.7A
  • rds su (max) @ id, vgs:15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:9nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:760pF @ 15V
  • potenza - max:2W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SO
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