EPC2100ENGRT

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Parte del produttore

EPC2100ENGRT

Produttore
EPC
Descrizione
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
EPC2100ENGRT PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Ta), 40A (Ta)
  • rds su (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • potenza - max:-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:Die
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
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