NTJD5121NT1G

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Parte del produttore

NTJD5121NT1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
21000
Schede tecniche in linea
NTJD5121NT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:295mA
  • rds su (max) @ id, vgs:1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.9nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:26pF @ 20V
  • potenza - max:250mW
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
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