FDC6306P

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Parte del produttore

FDC6306P

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
10500
Schede tecniche in linea
FDC6306P PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 P-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.9A
  • rds su (max) @ id, vgs:170mOhm @ 1.9A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.2nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:441pF @ 10V
  • potenza - max:700mW
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SuperSOT™-6
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