NP30N06QDK-E1-AY

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Parte del produttore

NP30N06QDK-E1-AY

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:14mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:38nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2250pF @ 25V
  • potenza - max:1W (Ta), 59W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerLDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-HUSON
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