SI6562CDQ-T1-GE3

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Parte del produttore

SI6562CDQ-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
150000
Schede tecniche in linea
SI6562CDQ-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.7A, 6.1A
  • rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:23nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:850pF @ 10V
  • potenza - max:1.6W, 1.7W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSSOP
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