IRFH7911TRPBF

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Parte del produttore

IRFH7911TRPBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
IRFH7911TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A, 28A
  • rds su (max) @ id, vgs:8.6mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:12nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1060pF @ 15V
  • potenza - max:2.4W, 3.4W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:18-PowerVQFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PQFN (5x6)
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