FDMQ86530L

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Parte del produttore

FDMQ86530L

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
3100
Schede tecniche in linea
FDMQ86530L PDF
Inchiesta
  • serie:GreenBridge™ PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:4 N-Channel (H-Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A
  • rds su (max) @ id, vgs:17.5mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:33nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2295pF @ 30V
  • potenza - max:1.9W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:12-WDFN Exposed Pad
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:12-MLP (5x4.5)
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