SI4931DY-T1-GE3

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Parte del produttore

SI4931DY-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
30450
Schede tecniche in linea
SI4931DY-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 P-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):12V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.7A
  • rds su (max) @ id, vgs:18mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 350µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:52nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • potenza - max:1.1W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SO
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