BSM400D12P2G003

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Parte del produttore

BSM400D12P2G003

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
4
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Silicon Carbide (SiC)
  • drain to source tensione (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:400A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 85mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:38000pF @ 10V
  • potenza - max:2450W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:-
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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