EPC2110

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Parte del produttore

EPC2110

Produttore
EPC
Descrizione
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
7501
Schede tecniche in linea
EPC2110 PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • caratteristica dei piedi:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):120V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.4A
  • rds su (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 700µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.8nC @ 5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:80pF @ 60V
  • potenza - max:-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:-
  • pacchetto / custodia:Die
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
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