SI7900AEDN-T1-E3

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Parte del produttore

SI7900AEDN-T1-E3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
4037
Schede tecniche in linea
SI7900AEDN-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A
  • rds su (max) @ id, vgs:26mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:16nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • potenza - max:1.5W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® 1212-8 Dual
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
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