SIA519EDJ-T1-GE3

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Parte del produttore

SIA519EDJ-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
1000050
Schede tecniche in linea
SIA519EDJ-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.5A
  • rds su (max) @ id, vgs:40mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:12nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:350pF @ 10V
  • potenza - max:7.8W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
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