SQJ500AEP-T1_GE3

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Parte del produttore

SQJ500AEP-T1_GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
15750
Schede tecniche in linea
SQJ500AEP-T1_GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:-
  • drain to source tensione (vdss):40V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:27mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:38.1nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1850pF @ 20V
  • potenza - max:48W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
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