QS8M13TCR

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Parte del produttore

QS8M13TCR

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
14648
Schede tecniche in linea
QS8M13TCR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A, 5A
  • rds su (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5.5nC @ 5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:390pF @ 10V
  • potenza - max:1.5W
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SMD, Flat Lead
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TSMT8
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