NTMD6N04R2G

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Parte del produttore

NTMD6N04R2G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
34980
Schede tecniche in linea
NTMD6N04R2G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):40V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.6A
  • rds su (max) @ id, vgs:34mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:30nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:900pF @ 32V
  • potenza - max:1.29W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOIC
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