AUIRF7379QTR

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Parte del produttore

AUIRF7379QTR

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
AUIRF7379QTR PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.8A, 4.3A
  • rds su (max) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
  • potenza - max:2.5W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SO
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