SSM6L09FUTE85LF

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Parte del produttore

SSM6L09FUTE85LF

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
8762
Schede tecniche in linea
SSM6L09FUTE85LF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:400mA, 200mA
  • rds su (max) @ id, vgs:700mOhm @ 200MA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:20pF @ 5V
  • potenza - max:300mW
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:US6
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