APTM10DSKM09T3G

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Parte del produttore

APTM10DSKM09T3G

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
APTM10DSKM09T3G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):100V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:139A
  • rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 69.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 2.5mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:350nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9875pF @ 25V
  • potenza - max:390W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:SP3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SP3
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