RJK0230DPA-00#J5A

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Parte del produttore

RJK0230DPA-00#J5A

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
213000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):25V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A, 50A
  • rds su (max) @ id, vgs:7mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1650pF @ 10V
  • potenza - max:15W, 35W
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-WPAK-D
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