SIZ918DT-T1-GE3

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Parte del produttore

SIZ918DT-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
13904
Schede tecniche in linea
SIZ918DT-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:16A, 28A
  • rds su (max) @ id, vgs:12mOhm @ 13.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:21nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:790pF @ 15V
  • potenza - max:29W, 100W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerWDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-PowerPair® (6x5)
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