SSM6N15AFE,LM

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Parte del produttore

SSM6N15AFE,LM

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
SSM6N15AFE,LM PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100mA
  • rds su (max) @ id, vgs:4Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13.5pF @ 3V
  • potenza - max:150mW
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-563, SOT-666
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:ES6 (1.6x1.6)
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