FDMQ8203

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Parte del produttore

FDMQ8203

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
901
Schede tecniche in linea
FDMQ8203 PDF
Inchiesta
  • serie:GreenBridge™ PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):100V, 80V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.4A, 2.6A
  • rds su (max) @ id, vgs:110mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:210pF @ 50V
  • potenza - max:2.5W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:12-WDFN Exposed Pad
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:12-MLP (5x4.5)
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