SI1926DL-T1-GE3

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Parte del produttore

SI1926DL-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
318000
Schede tecniche in linea
SI1926DL-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:370mA
  • rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:1.4nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:18.5pF @ 30V
  • potenza - max:510mW
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
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