2SK879-GR(TE85L,F)

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Parte del produttore

2SK879-GR(TE85L,F)

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
JFET N-CH 0.1W USM
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - jfet
Serie
-
Disponibile
3000
Schede tecniche in linea
2SK879-GR(TE85L,F) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tensione - rottura (v(br)gss):-
  • drain to source tensione (vdss):-
  • corrente - drain (idss) @ vds (vgs=0):2.6 mA @ 10 V
  • corrente assorbita (id) - max:-
  • tensione - taglio (vgs off) @ id:400 mV @ 100 nA
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8.2pF @ 10V
  • resistenza - rds(on):-
  • potenza - max:100 mW
  • temperatura di esercizio:125°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-70, SOT-323
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:USM
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