2N2609

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Parte del produttore

2N2609

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
JFETS
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - jfet
Serie
-
Disponibile
5000
Schede tecniche in linea
2N2609 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bag
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tensione - rottura (v(br)gss):30 V
  • drain to source tensione (vdss):-
  • corrente - drain (idss) @ vds (vgs=0):2 mA @ 5 V
  • corrente assorbita (id) - max:10 mA
  • tensione - taglio (vgs off) @ id:750 mV @ 1 A
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10pF @ 5V
  • resistenza - rds(on):-
  • potenza - max:300 mW
  • temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-18 (TO-206AA)
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