2SK3666-2-TB-E

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Parte del produttore

2SK3666-2-TB-E

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET F
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - jfet
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
2SK3666-2-TB-E PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:-
  • tensione - rottura (v(br)gss):-
  • drain to source tensione (vdss):-
  • corrente - drain (idss) @ vds (vgs=0):-
  • corrente assorbita (id) - max:-
  • tensione - taglio (vgs off) @ id:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • resistenza - rds(on):-
  • potenza - max:-
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:-
  • pacchetto / custodia:-
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
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