UJ3N120065K3S

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Parte del produttore

UJ3N120065K3S

Produttore
UnitedSiC
Descrizione
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - jfet
Serie
-
Disponibile
590
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tensione - rottura (v(br)gss):1200 V
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - drain (idss) @ vds (vgs=0):5 µA @ 1200 V
  • corrente assorbita (id) - max:34 A
  • tensione - taglio (vgs off) @ id:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1008pF @ 100V
  • resistenza - rds(on):55 mOhms
  • potenza - max:254 W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
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