CDBGBSC201200-G

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Parte del produttore

CDBGBSC201200-G

Produttore
Comchip Technology
Descrizione
DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
CDBGBSC201200-G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • configurazione del diodo:1 Pair Common Cathode
  • tipo di diodo:Silicon Carbide Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
  • corrente - media rettificata (io) (per diodo):25.9A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.8 V @ 10 A
  • velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):0 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247
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