TRS20N65FB,S1Q

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Parte del produttore

TRS20N65FB,S1Q

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - array
Serie
-
Disponibile
227
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • configurazione del diodo:1 Pair Common Cathode
  • tipo di diodo:Silicon Carbide Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
  • corrente - media rettificata (io) (per diodo):10A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.6 V @ 10 A
  • velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):0 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:50 µA @ 650 V
  • temperatura di esercizio - giunzione:175°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247
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