MMRF1006HR5

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Parte del produttore

MMRF1006HR5

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Serie
-
Disponibile
45
Schede tecniche in linea
MMRF1006HR5 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:LDMOS
  • frequenza:450MHz
  • guadagno:20dB
  • tensione - prova:50 V
  • corrente nominale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • corrente - prova:150 mA
  • potenza - uscita:1000W
  • tensione - nominale:120 V
  • pacchetto / custodia:SOT-979A
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:NI-1230-4H
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