MRF8P20165WHSR5

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Parte del produttore

MRF8P20165WHSR5

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Serie
-
Disponibile
39
Schede tecniche in linea
MRF8P20165WHSR5 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:1.88GHz ~ 2.025GHz
  • guadagno:14.8dB
  • tensione - prova:28 V
  • corrente nominale (ampere):10µA
  • figura di rumore:-
  • corrente - prova:550 mA
  • potenza - uscita:37W
  • tensione - nominale:65 V
  • pacchetto / custodia:NI-780S-4
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:NI-780S-4
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