BFR193WH6327XTSA1

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Parte del produttore

BFR193WH6327XTSA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - rf
Serie
-
Disponibile
22019
Schede tecniche in linea
BFR193WH6327XTSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):12V
  • frequenza - transizione:8GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • guadagno:10.5dB ~ 16dB
  • potenza - max:580mW
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 30mA, 8V
  • corrente - collettore (ic) (max):80mA
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-70, SOT-323
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-SOT323-3
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